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IXTA 5N60P
IXTP 5N60P
5
Fig. 1. Output Characte ris tics
@ 25 o C
10
Fig. 2. Exte nde d Output Characte ris tics
@ 25 o C
4.5
V GS = 10V
9
V GS = 10V
4
3.5
8V
8
7
8V
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
7V
6V
6
5
4
3
2
1
0
7V
6V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
5
V D S - V olts
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 125 o C
2.6
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe ratur e
4.5
4
3.5
3
2.5
V GS = 10V
8V
7V
6V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
V GS = 10V
I D = 5A
1.4
2
1.5
1.2
1
I D = 2.5A
1
0.5
0
5V
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
0.5 I D25 V alue vs . I D
5.5
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Dr ain Curr e nt vs . Cas e
Te m pe r ature
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - A mperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXTA6N50D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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